技术编号：8617692
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本专利涉及一种半导体材料热处理装置，具体涉及一种消除碲锌镉材料沉淀相缺陷的热处理装置。技术背景材料是一种具有广泛用途的半导体材料。它和窄禁带的HgCdTe材料在晶格上可实现完全匹配，是HgCdTe外延的优选衬底材料，已被广泛应用于制备高性能红外焦平面探测器；材料同时也是探测X射线和γ射线的光敏感材料，用其制备的γ探测器在性能上明显优于Si探测器。基于材料的光电探测器在航天、航空、地面和海洋遥感探测领域都具有重要的应用，是实现地球资源探测、环境评估、气象预报...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。