技术编号：87864
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及在半导体基片上形成电路图形的电路图形曝光方法和其中使用的掩模。 背景技术随着光刻技术领域中的技术的进步，现在能够形成具有小于曝光的光学波长二分之一的节距(pitch)的微型电路图形。具体是，在形成密集图形，如其中线和间隔(lines and spaces)以固定节距重复的线/间隔图形(下面称为“L/S”图形)中，通过应用斜入射照光方法获得足够深度的聚焦。斜入射照光方法是将辐射到掩模上的照射光的竖直入射分量切除，使得通过斜入射分量照射掩模图形。在通常图像形成中，掩模图形的三光束，即0阶衍射光和“+”...
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