技术编号:8788033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种功率MOS器件,尤其是一种利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件,属于功率MOS器件的。背景技术半导体功率器件通常需要承受一定的电压,电压范围从几十伏至几千伏不等,而实现器件耐压的两大要素是器件使用的材料以及器件的结构。目前应用最为广泛的半导体功率器件是硅器件,所使用的材料为硅材料,通常为外延硅材料,其具有特定的电阻率与厚度;而器件的结构又包含有源区结构和终端保护区结构,前者通常为器件导通工作时电流的流经区域,后者则为器件耐压工作时电场由有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。