技术编号：8906693
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在作为半导体制造工序之一的光刻工序中，在作为基板的半导体晶圆(以下，称作晶圆)的表面上将抗蚀剂涂覆成膜状，并在对获得的抗蚀剂膜以预定的图案曝光之后进行显影，从而形成抗蚀剂图案。在该光刻工序中，在利用显影液显影的抗蚀剂图案的表面存在微小的凹凸，在于之后的蚀刻工序中进行蚀刻处理时，该凹凸有时会对图案的线宽度的均匀性带来负面影响。因此，提出了改善抗蚀剂图案的粗糙度(LERLine Edge Roughness)、图案线宽度的偏差(LffRLine Width R...
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