技术编号：8923769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及到半导体光电材料制备领域，尤其设及到一种点阵扫描制备黑娃的方 法和装置。背景技术 黑娃是指采用物理或化学方法对单晶娃进行刻蚀，得到的一种表面具有周期性微 结构的材料。黑娃对可见光及近红外光都具有较高的吸收率，在0. 25ym~2. 5ym范围 内吸收率可达90%。2005年，EricMazur教授研究小组人员采用飞秒激光福照n(lll)娃 衬底制备的黑娃光电二极管探测器，在室温反向0. 5V偏压下，在lOOOnm处的光电响应度为 120A/W，...
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