技术编号：8923770
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体材料，具体说是一种能稳定多孔硅膜物理微结构的新 方法。背景技术 1956年，Uhlir对硅片在氢氟酸（HF)溶液中进行电化学抛光处理时发现了多孔 硅的存在；1990年，Canham发现多孔硅在室温下发出可见光，这个发现为多孔硅的研宄开 辟了新纪元；多孔硅在室温下的发光展示了硅在光电子学、光学器件、太阳能电池以及传感 器技术等方面广阔的应用前景。多孔硅薄膜发光材料研宄已经有近20年的历程，因多孔硅 薄膜的发光弥补了单晶硅材料间接带隙发光弱的...
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