技术编号：8923984
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，功率半导体器件在日常生活、生产等领域的应用越来越广泛。在众多功率器件中，垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS Vertical Double-diffusedMOSFET)兼有双极型晶体管和普通MOS器件的优点，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS器件都是理想的功率半导体器件。击穿电压是其重要的静态特性之一。理想的器件击穿电压是指PN结为平面结的情况，但是在实际的工艺中，由于杂质在进行纵向扩散的同时也发生横向扩散，所以实际形成PN...
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