一种纵向高压半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:8923984

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目前,功率半导体器件在日常生活、生产等领域的应用越来越广泛。在众多功率器件中,垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOS Vertical Double-diffusedMOSFET)兼有双极型晶体管和普通MOS器件的优点,不论是开关应用还是线性应用,VDMOS器件都是理想的功率半导体器件。击穿电压是其重要的静态特性之一。理想的器件击穿电压是指PN结为平面结的情况,但是在实际的工艺中,由于杂质在进行纵向扩散的同时也发生横向扩散,所以实际形成PN...
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