技术编号:8927105
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 半导电-基化合物,包括III-V族材料,例如氮化嫁佑aN) 元化合物,例如铜嫁 氮(InGaN)和嫁侣氮(GaAlN) 及甚至四元化合物(AlGaInN)为直接带隙半导体。该些 材料已被公认为具有很大潜力W用于短波长发射,并且因此适合用于发光二极管(LE化)、 激光二极管(LDs)、UV探测器W及高温电子器件的制造。 然而,围绕该些材料的加工的困难,特别是材料的高质量单晶形态的形成(其对 于光电子学中的短波长发射的制造是必须的),阻碍了该种半导电材料的发...
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