技术编号：8999017
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体封装技术中，在交流控制电机线路中所用到的高压双向可控硅因其工作的特殊性对正反向电压要求较高，一般要求其内部的电压保证900V?1000V以上，因其高的电压值对于普通封装框架的双向可控硅是达不到的，所以产生了双台面结构的双向可控娃，双台面结构的双向可控娃内部耐压值大于1000V。目前，现有的Τ0-220封装框架，如图1所示，将双台面结构的双向可控硅芯片直接焊接在铜基板2上，由于多余的焊料会上翻到芯片上，影响芯片的内压，产品成品率低。有鉴于上述的缺陷，本...
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