技术编号：9124207
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。BM1001型高G值加速度传感器，其较多在军用领域中用于及时反馈其飞行状态，以便于实现精确打击目标。如图1所示，BM1001传感器的核心部分是采用体硅MEMS (微电子机械系统)工艺加工的单晶硅芯片，芯片的中心有可动的集成敏感电阻的悬臂梁，当器件受到加速度作用时，悬臂梁上的四个敏感电阻分别增大和减小，由该四个敏感电阻构成的惠斯通电桥输出相应的值，该输出值与施加的加速度呈正比。当BM1001传感器接入使用电路后，对其零位电压有较高的准确要求，在电路中通过调整...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。