技术编号:9204394
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。含氮的II1-V族化合物半导体材料(以下称作“氮化物半导体材料”)包含与具有红外区域?紫外区域的波长的光的能量相当的带隙。因而,氮化物半导体材料对于发出具有红外区域至紫外区域的波长的光的发光元件的材料、接受具有该区域的波长的光的受光元件的材料等是有用的。此外,关于氮化物半导体材料,原子间的键合力强,绝缘击穿电压高,饱和电子速度大。因而,氮化物半导体材料作为耐高温且高输出的高频晶体管等电子器件的材料也是有用的。进而,氮化物半导体材料作为几乎不会损害环境且易于...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。