技术编号：9262081
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。低功耗磁通门希望饱和磁场强度Hs尽量低，以保证铁芯在小电流激励下能够迅速进入饱和状态。如何在硅基片上淀积低饱和磁场强度的薄膜铁芯是制作硅微磁通门器件的关键技术。文献 I “Low power integrated fluxgate sensor with a spiral magneticcore, Microsystem Technologies-Micro-And Nanosystems-1nformat1n Storage AndProcessing...
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