技术编号：9262145
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 电容器继续在更高世代的集成电路制造中具有越来越高的深宽比（aspect ratio)。例如，现在的动态随机存取存储器（DRAM)电容器有1到3微米的高度和小于或等 于约0. 1微米的宽度。 电容器的常见类型是所谓的容器装置，也就是将储存电极成型为容器状。介电材 料和另一个电容器电极可以在容器内和/或沿着容器形成，使得其同时具有高容量和小尺 寸。为达到所要的电容值但又要减少所占芯片面积，容器状的储存节点继续变得更高 更窄（即具有更大的深宽比）。不幸的是，高...
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