技术编号：9262197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 与非晶娃薄膜晶体管（a-SiTFT)相比，低温多晶娃薄膜晶体管（LowTemperature Poly-siliconTFT，LTPSTFT)技术具备诸多优点，如迀移率很高，可达到10-100cm2/Vs左 右，同时可以在较低温条件（低于600°C)下制备而成，基底选择灵活，制备成本较低等。 目前，在非柔性的玻璃基底上制备LTPSTFT的工艺过程中，为了使源极、漏极和 LTPS有源层之间形成良好的欧姆接触，需要先在LTPS有源层的源漏区域用离子注入工艺 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。