一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法技术资料下载

技术编号:9262326

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忆阻器,是由华裔教授蔡少堂在1971年提出概念,并由HP实验室于2008年首次在实验上证实存在的一种无源器件。传统的三种无源器件电阻、电容、电感,都可以由电流、电压、磁通量、电荷量四个物理量两两组合得出。蔡少堂教授就是根据其中磁通量和电荷量的关系,推断应该还有一种无源器件,并将其命名为忆阻器,它能反映器件电阻随流经其中电荷量的变化而变化,这种特性使其在应用于非易失性存储器方面具有很大潜力。随着信息技术和半导体工艺的发展,光刻技术越来越接近量子级别,依据存储...
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