一种黑色二氧化锡及其制备方法技术资料下载

技术编号:9282946

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自1972年Fujishima和Honda发现受辐射的半导体金属氧化物T12表面氧化还原反应光解水以来,T12成为降解污染物前景最好的光催化材料。然而T12的禁带宽度Eg=3.2eV,相对应的吸收波长只有在小于或等于387nm的紫外光才可以激发1102导带电子和价带空穴的分离产生光催化反应。但是,紫外光在太阳能中不足5%,导致1102光催化的太阳能利用率很低,因此开发一种对可见光敏感的光催化材料极为重要。与T12相比,金红石型SnO2是一种宽带半导体,光学...
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