技术编号:9290916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 碳化硅(SiC)由于硬度高且耐热性和耐磨性优异而被用作研磨剂,此外,由于刚 性高且导热率高,因此在能量领域和航空宇宙领域中,作为代替金属等的材料,例如轴承和 机械密封、半导体制造装置用部件来使用。碳化硅进一步具有作为半导体的性质,其单晶被 用于功率器件等,是受人关注的材料。 碳化硅粉或多晶,作为所述用途的起始原料,其制法主要为以下三种 第一种是艾奇逊法(Achesonprocess),在石墨电极周围将娃砂与焦炭进行通电 加热;第二种是气相沉积法,利用硅烷...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。