技术编号：9291820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明具有由虚栅极分隔的连续有源区的金属氧化物半导体(MOS)隔离方案及相关方法优先权要求本申请要求于2013年3月13日提交的题为“METAL OXIDE SEMICONDUCTOR(MOS)ISOLAT1N SCHEMES WITH CONTINUOUS ACTIVE AREAS SEPARATED BY DUMMY GATES ANDRELATED METHODS (具有由虚栅极分隔的连续有源区的金属氧化物半导体(MOS)隔离方案及相关方法)”的美...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。