技术编号：9305556
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。双层结构硅片在半导体器件领域中应用较广泛，目前实现双层结构硅片较普遍的方法有外延生长法、扩散法。外延生长法比较普遍，但如果掺杂剂量过大，外延层的晶体学、电学参数难以保证，并且外延层过厚容易出现外延缺陷和翘边现象；扩散法可以实现一定深度的扩散层，但对于扩散深度更大的则无能为力，同时，扩散法只能形成缓变结，不能形成突变结，难以满足高端器件对界面的要求。因此，外延生长法和扩散法对双层结构硅片的电阻率以及厚度有较大的限制，使用键合的方法制作双层结构硅片更加灵活。直...
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