技术编号:9328781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。与VDMOS (Vertical Double-diffused M0SFET,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)相比,LDMOS具有开关速度快以及便于集成等特点。因此,LDMOS在功率集成电路,尤其是射频电路中应用十分广泛。LDMOS的关键参数是外延层厚度,掺杂浓度区和漂移长度。对于常规LDM0S,比导通电阻比导通电阻=导通电阻X器件面积)与耐压BV之间存在矛盾关系Ron,sp- BV 2.5。降低漂移区掺杂浓度,增长漂移区可以提高器件的耐压,但同...
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