技术编号：9338683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着信息化时代的到来，电子信息、通讯、半导体集成电路和大功率电力电子等行业得到迅猛发展，半导体材料得到广泛应用，需求越来越大，半导体材料的通孔和盲孔制造成为芯片制造的核心关键工序之一，晶圆制造技术和工艺中对通孔和盲目的制造效率和位置精度要求越来越高。传统的电火花穿孔技术在实际生产中存在效率极低、被加工材料需要有良好的导电性能等工艺限制，无法提高生产效率。采用化学腐蚀的方法亦不能解决直径50微米以下深度500微米以上的大深径比微孔的制造。因此极大地限制了晶圆...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。