技术编号：9371749
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 目前生产LED的主要工艺是采用金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD)的方法。 该方法是在某几个较高温度下，在蓝宝石基底上生长量子阱薄膜。基底的尺寸限制了 LED 的生产效率，目前成熟的技术是在2英寸基底上生长量子阱薄膜。如果蓝宝石基底的尺寸 从2英寸提高到6英寸，LED生产率将提高30%。然而，由于量子阱薄膜与蓝宝石基底的热 膨胀系数不一致，当蓝宝石基底的尺寸增大时，导致高温生长时大尺寸的蓝宝石基底发生 明显形变。这种明显的形变导致蓝宝石基底不能完全与...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。