技术编号：9398277
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前磷化铝镓铟发光二极管所使用的成长基板为砷化镓基板，其缺点为当活性层产生的光往下入射至砷化镓基板时，由于其带隙较小因此入射至砷化镓基板的光会被吸收而影响出光效率。为了解决上述缺点，通常会加入一布拉格反射结构(Distributed BraggReflector, DBR)于砷化镓基板上，用于反射入射向砷化镓基板的光，并减少砷化镓基板吸光，然而此种DBR反射结构只对于较接近垂直入射于砷化镓基板的光能有效的反射，且反射率只有80%，并且反射光的波长范围很小，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。