技术编号：9412087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在光伏行业，目前多晶硅铸锭设备大多数使用半熔工艺，其原理是在陶瓷石英坩祸喷涂氮化硅完毕后，在坩祸底部均匀撒上5~50kg粒径为l~20mm硅颗粒，颗粒堆积厚度5~50mm左右，在娃料恪化过程中通过控制设备隔热笼起始开度为50~150mm从而控制热场顶底温差，使之从上至下定向熔化，在熔化后阶段(即第10~12步)操作人员使用石英玻璃棒测量硅锭底部未熔化籽晶高度，最后以硅锭底部硅颗粒保留高度5~25_左右为宜，所需硅颗粒作为籽晶，起到长晶初期形核作用。半熔工艺...
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