技术编号：9418928
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。II1-V族化合物由于具有稳定性好、有效质量小、电子迀移率和峰值速度高、以及光吸收系数较高等优点，被广泛地应用于光电器件中。这其中，GaAs的带隙为1.42eV，对应于太阳光谱中能量最高的波段，因而十分适用于太阳能电池及光电探测器的制作。生长GaAs半导体器件的常用的衬底材料为GaAs或者Ge等，但这些材料价格昂贵，因而提高了GaAs基半导体材料的制备成本。而Si与GaAs及Ge相比，具有工艺成熟、价格便宜及易于大尺寸化等优点，如果能够在Si上实现高质量G...
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