含钴衬底的化学机械抛光(cmp)的制作方法技术资料下载

技术编号:9540417

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专利说明含钻衬底的化学机械抛光(CMP) 巧关申请的香叉引用 本专利申请是2014年7月25日提交的美国临时专利申请序列号62/029, 145的 非临时申请,所述临时专利申请通过引用W其全文并入本文。 本发明总体设及半导体衬底的化学机械抛光(CMP)。背景技术 由于行业标准倾向于更小器件特征,对于可用于在集成电路(IC)忍片制造和集 成(尤其用于16皿技术结点及W上的应用)中作为新的导电互连材料替换(W)或铜(化) 的新型金属材料存在着持续的开发需求。钻...
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