技术编号：9549602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着科技的发展，电子元件的微型化已成趋势。目前现有的金属氧化物薄膜晶体管(metal-oxide thin film transistor, MO-TFT)结构为底極极蚀刻中止(bottom gateetching stop)的结构。在上述结构中，源极与漏极位于同一膜层，且分别设于半导体层的两侧。蚀刻终止层(etching stop layer)具有暴露出半导体层顶面的两个接触孔(contacthole)。源极与漏极分别填入这两个接触孔而与半导体层电性连接...
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