技术编号：9565814
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。以往公知有将绝缘棚■双极晶体管(IGBT；Insulated Gate Bipolar Transistor)以及二极管等半导体元件、电阻、电容器等电子部件搭载于电路基板上而构成的变频器装置、功率半导体装置。这样的装置具备发热量高的电子部件，所以要求具有高的散热性。为了确保上述高的散热性，开发了具有在绝缘树脂粘合层(绝缘膜)接合金属板层(金属基板)的构造的装置(参照专利文献1)。然而，在这样的构造中，由于绝缘膜与金属基板的线膨胀系数不同而产生弯曲，由此可能...
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