技术编号：9565914
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术以往，作为工业用设备、汽车、家用电器等使用的功率半导体装置，已知有IGBT(Insulated GateBipolar Transistor绝缘栅双极晶体管)。功率半导体装置中，特别是IGBT具有良好的栅极控制性，且由于具有电导调制效应而能实现低导通电压。此外，作为功率半导体装置的M0S栅(由金属-氧化物-半导体构成的绝缘栅)结构，广泛已知有在半导体基板上呈平板状地设置M0S栅的平面栅结构、以及在形成在半导体基板上的沟槽内填入M0S栅的...
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