技术编号：9580702
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体制备工艺的飞速发展，快闪（flash)存储器的器件特征尺寸显著减 小，由此，对存储芯片的制造工艺提出了更高要求。在NOR快闪存储器的制造工艺中，由于 采用了浮栅（Floating Gate)工艺，出现了越来越多的膜层累加结构，在送样多个膜层厚度 叠加情况下，存储芯片层间介质层（Inter Layer Dielectrics, ILD)的填充变得越来越困 难，成为影响存储器件性能的一个重要的工艺步骤。现有的填充工艺主要包括高密度等离 子体（Hi曲...
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