技术编号：9599190
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 传统CMOS器件制造工艺制造出的CMOS器件只能够满足5V的电源需求，但是随着 技术的发展，产生了可以适用于高电压的高压器件。由于用高压器件做启动管或驱动电路 时，其阈值电压远大于普通CMOS，小于该阈值电压的电压无法驱动高压器件进行工作，而增 加电压所带来的风险就在于击穿栅极，造成器件的损坏。因此在制造具有高压器件的CMOS 器件时需要将高压器件的阈值电压尽量做小。 如图1所示，具有高压器件的CMOS器件中有一种是同时具有低压器件与高压 器件的，这种器...
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