技术编号：9602147
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种在形成Cu-In-Ga-Se化合物膜（以下简记为"CIGS膜"）时所使 用的，该Cu-In-Ga-Se化合物膜用于形成CIGS薄膜型太阳 能电池的光吸收层。 本申请基于2013年8月1日于日本申请的专利申请2013-160134号主张优先权， 并将其内容援用于此。背景技术 近年来，基于黄铜矿系化合物半导体的薄膜型太阳能电池提供于实际使用中，基 于该化合物半导体的薄膜型太阳能电池具有如下基本结构在钠钙玻璃基板上形成成为正 电极的Mo电极层，在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。