技术编号：9617249
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。影响场效应晶体管性能的主要因素在于载流子的迁移率。在场效应晶体管中，载流子迁移率的下降不仅会降低晶体管的切换速度，而且还会使开和关时的电阻差异缩小。因此，在互补金属氧化物半导体场效应晶体管(CMOS)的发展中，有效提高载流子迁移率一直都是晶体管结构设计的重点之一。常规上，CMOS器件制造技术中将P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PM0S)和N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NM0S)分开处理，例如，在PM0S器件的制造方法中采用压应力材料，而在NM0S器件...
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