技术编号：9617467
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体集成电路的密度持续增加以及电路元件的对应尺寸减少，制造良率及装置效能的问题也不断出现。例如，随着后段制程(BE0L)互连结构中的金属填料导孔及/或沟槽之间的间距持续减少，金属填料的问题开始出现或变得更明显，这有部分归因于结构的较高所欲纵横比(aspect rat1)。此外，随着电路尺寸减少，效能可受到例如互连层之间的互连电阻-电容(RC)延迟所主宰。因此，亟须增强的互连件及增强的中间层结构以及制造方法。发明内容本申请克服先前技术的缺点，以及提供额...
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