技术编号：9661821
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属有机物化学气相沉积(M0CVD)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺，用于生长外延晶片。它是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。如图1所示，现有的M0CVD系统包括，反应腔(即第一腔室)、排气孔和外壳，现有产业化的M0CVD都有旋转功能，在高...
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