技术编号：9689093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体制造技术的不断发展，半导体器件的制造方法以及半导体器件的结构也日益复杂，因此，仅在晶圆的一侧表面进行半导体工艺制程已不能满足持续发展的技术需求。例如，MEMS压力传感器的制造工艺、背照式(BSI，Backside Illuminated)图像传感器的制造工艺、娃通孔(TSV, Through Silicon Via)结构的制造工艺、或者晶圆的封装工艺均需要在晶圆的一侧表面形成半导体器件结构之后，在晶圆的另一侧表面进行后段工艺制程。为了避免在对晶圆...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。