技术编号：9689269
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件的制作过程中，需要在衬底中定义有源区的位置，然后在有源区中形成晶体管等有源器件。当有源器件处于工作状态时，有源区中会形成导电沟道，且随着导电沟道长度的减小或导电沟道宽度的增加，有源器件的工作电流会随之增加。目前，通常采用浅沟槽隔离技术(Shallow Trench Isolat1n,STI)定义有源区的位置，即在衬底中形成沟槽隔离结构，并将相邻沟槽隔离结构之间的衬底作为有源区。在图1至图4中示出了现有技术中形成有源区的方法。该方法包括以下步骤首...
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