技术编号：9709792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅器件的半导体加工工艺。更具体地，涉及。背景技术作为一种第三代宽带化合物半导体材料，碳化硅在禁带宽度、最大场强、掺杂浓度以及热导率方面都具有传统的硅以及砷化镓材料无法比拟的优势，尤其适用于高压、高频、大功率、高辐照以及特定波长的光电探测领域。目前，碳化硅在功率微波以及光电器件方面得到了很大的研发关注。由于碳化硅材料特性方面的优势，与传统的硅基器件相比，相应的碳化硅器件结构简单、体积小、性能高。但是，碳化硅器件的材料特性(禁带宽度大)也带来一些...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。