技术编号：9709926
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。闪存(Flash memory)是基于EPROM和EEPR0M发展起来的一种新型非挥发性半导体存储器，它具有价格便宜、工艺相对简单、可方便快速的进行多次擦写的特点，自问世以来，闪存在存储领域得到了广泛的应用，主要应用于便携式设备及嵌入式系统中。Nor flash依靠热电子注入的方式来存储数据，即电子在沟道中被漏端和源端的横向电场加速，在漏端附近形成热电子，通过声子散射，在栅极纵向电场的作用下，部分电子会通过隧穿氧化层，注入到浮栅中，器件的阈值电压随之改变，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。