技术编号：9713711
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于高溫低压力环境的细长的容性輔合的等离子体源[000。 背景 本发明的实施例大体而言关于一种用于处理基板的设备。更特定而言，本发明的 实施例关于用于如批量处理器之类的处理腔室的模块化容性禪合的等离子体源。 通常在含有多个腔室的基板处理平台中执行半导体器件形成。在一些实例中，多 腔室处理平台或群集工具的目的在于，在受控环境中顺序地对基板执行两个或更多个工 艺。然而，在其他实例中，多腔室处理平台可仅对基板执行单个工艺步骤;附加的腔室旨在 使平台处理基...
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