技术编号：9713732
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 非易失性存储器(NVM)是指在不被供电时永久地存储信息位的存储器。非易失性 存储器位单元(NVM位单元)存储单个数据位。一些类型的NVM位单元使用具有浮置栅极的晶 体管来实现。浮置栅极上驻留的电荷的量决定位单元存储逻辑"r还是逻辑"0"。浮置栅极 称为"浮置"，因为栅极通过氧化物或电介质与周围环境电隔离。一些NVM可W在位单元中存 储多于一个状态。 为了扩展存储器设备的应用并且降低其成本，理想的是，在给定区域中容纳大量 位单元。也理想的是，通过使用标准的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。