一种利用双螺杆挤出机制备氮化镓纳米晶体的方法技术资料下载

技术编号:9740859

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氮化镓与碳化硅(SiC)、金刚石等半导体材料一起被誉为第三代半导体材料,于传统的硅基和砷化镓基半导体材料相比,氮化镓等第三代半导体材料由于其特有的禁带范围、优良的光、电学性质和优异的材料性能,能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求,在汽车及航空工业、医疗、军事和普通照明方面具有十分广泛的应用前景。GaN材料属于直接跃迀型宽禁带半导体材料,宽直接带隙为3.4eV,同时也是一种极稳定的、坚硬的高熔点材料,具有电子饱和速率高、介电系数小、导热性能好和...
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