技术编号：9757026
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，已提出使用有时被称为位成本可扩展(BiCS)架构的3D堆叠式存储器结构的超高密度存储设备。例如，3D NAND堆叠式存储器设备可以由交替的导电层和介电层的阵列形成。在这些层中钻有存储器孔(memory hole)以同时限定很多存储器层。然后，通过利用适当的材料填充存储器孔来形成NAND串。直线型NAND串在一个存储器孔中延伸，而管状或U形NAND串(P-BiCS)包括一对竖直的存储器单元列，该对竖直的存储器单元列在两个存储器孔中延伸并且通过底部背栅...
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