技术编号：9757029
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。有时在存储器单元阵列内设置有熔丝只读存储器块，该熔丝只读存储器块以块为单位或以列为单位来存储存储器单元的不良信息。熔丝只读存储器块为与通常的块相同的大小，具有多个存储器单元。在熔丝只读存储器块的存储器单元产生超过允许限度的不良的情况下，熔丝只读存储器块中保存的熔丝只读存储器数据自身也有可能会变得不良。进而，在熔丝只读存储器数据产生不良的情况下，为了纠错而耗费时间，半导体存储装置的工作速度有可能下降。尤其是，随着存储器单元细微化，存储器单元容易变得不良，因此...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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