技术编号:9769748
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。扩散炉广泛应用于电力电子器件、半导体器件和晶体硅太阳能电池制造,通过在硅片表面掺杂磷或硼制备PN结。PN结制备是器件和太阳能制造的核心工艺,其优劣直接决定着产品质量的好坏。随着器件制造业的发展,尤其是晶体硅太阳能电池高转换效率方向发展,传统的常压扩散工艺已经很难满足浅结高方阻的工艺需求,掺杂均匀性无法满足先进电池工艺路线的技术需求。减压扩散通过真空系统在石英管内形成负压条件,增加分子的自由行程,提高硅片表面掺杂均匀性;掺杂原子可快速排空,利于减少表面复合、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。