技术编号：9812527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 阳00引近年，由于碳化娃（SiC)是相比Si具有2倍W上带隙化36eV~3. 23eV)的宽带 隙半导体，因此作为高耐压设备用材料而受到注目。 然而，与Si不同，由于SiC的晶体形成溫度是高溫，难W采用提拉法从液相中制作 单晶锭。因此，提出采用升华法形成SiC单结晶锭的方法，而上述升华法难W形成大尺寸、 晶体缺陷少的基板。另一方面，由于SiC晶体中的立方晶SiC(3C-SiC)能够在相对较低的 溫度形成，因此提出在Si基板（娃基板）上直接进行外延生长的方...
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