技术编号：9912719
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 近年来人们利用磁性隧道结（MTJ，Magnetic Tunnel Junction)的特性做成磁性 随机存储器，即为MRAM(Magnetic Random Access Memory)。MRAM是一种新型固态非易失 性记忆体，它有着高速读写的特性。铁磁性MTJ通常为三明治结构，其中有磁性记忆层，它 可以改变磁化方向以记录不同的数据；位于中间的绝缘的隧道势皇层；磁性参考层，位于 隧道势皇层的另一侧，它的磁化方向是不变的。当磁性记忆层与磁性参考层之间的磁化...
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