技术编号：9912724
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，铁电记忆存储器、磁阻记忆存储器、相变记忆存储器、阻变记忆存储器等新型的非易失性随机存储器获得国内外的广泛关注。与大体积器件相比，微/纳米记忆存储器具有耗能少、尺寸小、存储密度大等优点。基于Ni0、Zn0、ZnSn04、GeSe2等一维微/纳米线的记忆存储器具有制备工艺简单、低能耗、良好的稳定性、高读写速度和循环次数等优点在阻变存储器的领域得到了广泛的应用和研究。在非易失性记忆存储器中，数据的存储通过电阻开关性能得以实现，低阻态和高阻态分别对应二进制...
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