技术编号：9916718
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓(GaN)半导体装置由于其能以高频切换、承载大电流、且支持高电压的能力而与日倶增地合乎吾人所欲。这些装置的发展普遍针对高功率/高频率应用。针对这些类型应用制作的装置系基于显现高电子迀移率的一般装置结构，且不同地被称作异质接面场效晶体管(HFET)、高电子迀移率晶体管(HEMT)、或调变掺杂场效晶体管(MODFET)。这些类型的装置典型地可忍受例如30V至2000V的高电压，同时在例如10kHz-1OOGHz的高频下运作。GaN HEMT装置包括具有至...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。