技术编号：9932758
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术以往，出于功率半导体元件的高可靠性化、小型化以及低成本化的目的，公知有将纵向型功率半导体元件和构成该纵向型功率半导体元件的控制保护用电路(电路部)的横向型半导体元件设置在相同的半导体基板(半导体晶片)上的功率半导体装置(例如，参照下述专利文献1、2)。对于以往的半导体装置的结构，举例说明将输出段用的纵向型η沟道功率M0SFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor绝缘棚.型场...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。